ROHM - US6K1TR - 场效应管 MOSFET 双 NN
制造商：ROHM
库存编号：
制造商编号：US6K1TR
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国2023
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 3.68
价格：
库存编号：
制造商编号：US6K1TR
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国2023
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 3.68
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 3.68 |
描述信息：
- 晶体管极性:Dual N
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.34ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
- 封装类型:TUMT6
- 封装类型:TUMT6
- 晶体管类型:Low Gate Drive
- 表面安装器件:表面安装
- 功率, Pd:1W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:2.5V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:1.5A
- 电流, Idm 脉冲:6A
- 阈值电压, Vgs th 最低:1.5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:0.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.00001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:Dual N
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.34ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
- 封装类型:TUMT6
- 封装类型:TUMT6
- 晶体管类型:Low Gate Drive
- 表面安装器件:表面安装
- 功率, Pd:1W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:2.5V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:1.5A
- 电流, Idm 脉冲:6A
- 阈值电压, Vgs th 最低:1.5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:0.5V
