STMICROELECTRONICS - VND1NV04TR-E - 场效应管 功率MOSFET 40V 1.7A DPAK
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：VND1NV04TR-E
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国4785
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 11.91
价格：
库存编号：
制造商编号：VND1NV04TR-E
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国4785
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 11.91
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 9 | CNY 11.91 |
| 10 - 99 | CNY 9.36 |
| 100 - 249 | CNY 7.51 |
| 250 - 499 | CNY 6.59 |
| 500+ | CNY 5.97 |
描述信息：
- 晶体管极性:N Channel
- 开态电阻, Rds(on):250mohm
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:DPAK
- 封装类型:DPAK
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
- 电压, Vds 典型值:45V
- 电流, Id 连续:0.5A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.00195
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N Channel
- 开态电阻, Rds(on):250mohm
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:DPAK
- 封装类型:DPAK
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
- 电压, Vds 典型值:45V
- 电流, Id 连续:0.5A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
