FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - SGH80N60UFDTU - 晶体管IGBT
制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：SGH80N60UFDTU
库存状态：上海20, 新加坡28, 英国2554
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 38.80
价格：
库存编号：
制造商编号：SGH80N60UFDTU
库存状态：上海20, 新加坡28, 英国2554
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 38.80
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 38.80 |
描述信息：
- 晶体管类型:IGBT
- 集电极直流电流:80A
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
- 最大功耗:195W
- 电压, Vceo:600V
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-3P
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 上升时间:50ns
- 下降时间:50ns
- 功率, Pd:195W
- 功耗:195W
- 器件标记:SGH80N60UFDTU
- 封装类型:TO-3P
- 总功率, Ptot:195W
- 晶体管数:1
- 晶体管极性:N
- 最大连续电流, Ic:80A
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压, Vces:600V
- 电流, Icm 脉冲:220A
- 表面安装器件:通孔安装
- 针脚格式:GCE
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
产品属性：
重量（公斤）：0.006
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管类型:IGBT
- 集电极直流电流:80A
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
- 最大功耗:195W
- 电压, Vceo:600V
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-3P
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 上升时间:50ns
- 下降时间:50ns
- 功率, Pd:195W
- 功耗:195W
- 器件标记:SGH80N60UFDTU
- 封装类型:TO-3P
- 总功率, Ptot:195W
- 晶体管数:1
- 晶体管极性:N
- 最大连续电流, Ic:80A
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压, Vces:600V
- 电流, Icm 脉冲:220A
- 表面安装器件:通孔安装
- 针脚格式:GCE
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
