SEMIKRON - SK10GD126ET - 晶体管 IGBT模块 6晶体管 1200V
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 饱和电压, Vce sat ??大:2.1V
- 电压, Vceo:1200V
- 封装类型:SEMITOP 3
- 外宽:55mm
- 外部深度:31mm
- 封装类型:SEMITOP 3
- 晶体管数:6
- 晶体管类型:IGBT
- 表面安装器件:螺丝安装
- SMD标号:SEMITOP3
- 上升时间:30ns
- 功率, Pd:2000W
- 安装孔中心距:52.5mm
- 安装孔直径:2mm
- 最大连续电流, Ic:15A
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 电压:1200V
- 电压, Vces:1200V
- 电流, Icm 脉冲:30A
- 集电极电流, Ic 平均值:15A
- 集电极连续电流, Ic 最大值:11A
产品属性:
重量(公斤):0.13
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 饱和电压, Vce sat ??大:2.1V
- 电压, Vceo:1200V
- 封装类型:SEMITOP 3
- 外宽:55mm
- 外部深度:31mm
- 封装类型:SEMITOP 3
- 晶体管数:6
- 晶体管类型:IGBT
- 表面安装器件:螺丝安装
- SMD标号:SEMITOP3
- 上升时间:30ns
- 功率, Pd:2000W
- 安装孔中心距:52.5mm
- 安装孔直径:2mm
- 最大连续电流, Ic:15A
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 电压:1200V
- 电压, Vces:1200V
- 电流, Icm 脉冲:30A
- 集电极电流, Ic 平均值:15A
- 集电极连续电流, Ic 最大值:11A