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ZETEX - ZXMN4A06K - 场效应管 MOSFET N D-PAK

ZETEX - ZXMN4A06K - 场效应管 MOSFET N D-PAK
制造商:ZETEX
库存编号:
制造商编号:ZXMN4A06K
库存状态:上海 0 , 新加坡6, 英国63
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 16.08
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 16.08
25  - 99 CNY 12.83
100  - 249 CNY 8.61
250+  CNY 7.68

订购
描述信息:
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:10.9A
  • 电压, Vds 最大:40V
  • 开态电阻, Rds(on):0.05ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs ??高:20V
  • 功耗:9.5W
  • 工作温度范围:-55oC to +150oC
  • 封装类型:D-PAK
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD标号:ZXMN 4A06
  • 上升时间:3.8ns
  • 下降时间:10.9ns
  • 功率, Pd 50mm2 PCB:4.2W
  • 外宽:6.8mm
  • 外部深度:10.5mm
  • 外部长度/高度:2.55mm
  • 封装类型:DPAK
  • 封装类型, 替代:TO-252
  • 应用代码:GPSW
  • 时间, trr 典型值:16ns
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:40V
  • 电流, Id 连续:7.2A
  • 电流, Idm 脉冲:35.3A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on 最大:0.05ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
产品属性:

重量(公斤):0.306
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:10.9A
  • 电压, Vds 最大:40V
  • 开态电阻, Rds(on):0.05ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs ??高:20V
  • 功耗:9.5W
  • 工作温度范围:-55oC to +150oC
  • 封装类型:D-PAK
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD标号:ZXMN 4A06
  • 上升时间:3.8ns
  • 下降时间:10.9ns
  • 功率, Pd 50mm2 PCB:4.2W
  • 外宽:6.8mm
  • 外部深度:10.5mm
  • 外部长度/高度:2.55mm
  • 封装类型:DPAK
  • 封装类型, 替代:TO-252
  • 应用代码:GPSW
  • 时间, trr 典型值:16ns
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:40V
  • 电流, Id 连续:7.2A
  • 电流, Idm 脉冲:35.3A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on 最大:0.05ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V