TOSHIBA - 2SK3561 - 场效应管 MOSFET N 500V TO-220SIS
制造商：TOSHIBA
库存编号：
制造商编号：2SK3561
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国345
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 15.10
价格：
库存编号：
制造商编号：2SK3561
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国345
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 15.10
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 15.10 |
| 25 - 99 | CNY 10.60 |
| 100+ | CNY 8.50 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:8A
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):0.85ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:40W
- 封装类型:TO-220SIS
- 功率, Pd:40W
- 封装类型:TO-220SIS
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电流, Id 连续:8A
- 电流, Idm 脉冲:32A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
产品属性：
重量（公斤）：0.0017
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:8A
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):0.85ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:40W
- 封装类型:TO-220SIS
- 功率, Pd:40W
- 封装类型:TO-220SIS
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电流, Id 连续:8A
- 电流, Idm 脉冲:32A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
