
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS8978 - 场效应管 MOSFET N SO-8

描述信息:
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.018ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
- 功耗:1.6W
- 封装类型:SOIC
- 封装类型:SOIC
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 功率, Pd:1.6W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:7.5A
- 电流, Idm 脉冲:60A
产品属性:
重量(公斤):0.08802
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.018ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
- 功耗:1.6W
- 封装类型:SOIC
- 封装类型:SOIC
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 功率, Pd:1.6W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:7.5A
- 电流, Idm 脉冲:60A