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最低阈值电压, Vgs th N沟道 1

  • 0.6V
  • 2.8V
  • 1V

最低阈值电压, Vgs th P沟道

  • 0.8V
  • 1V
  • 2.8V

最高电压, Vds P沟道

  • 60V
  • 30V

总功率, Ptot

  • 1.25W
  • 1.8W

针脚配置

  • S2(4),G2(5),D1(6),D2(3),G1(2), S1(1)
  • c
  • D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
  • 1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
  • D-com(1+8), S1(2+3),G1(4), S2(6+7),G2(5)

针脚数

  • 5
  • 6
  • 8

阈值电压, Vgs th 典型值

  • 3.3V
  • -700mV
  • 4V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • -1.6V
  • 1.6V
  • 1.9V
  • 2.5V
  • 2.2V
  • 1.3V
  • 1.1V
  • 1V
  • -1V
  • 1.8V
  • 3V
  • 1.7V
  • 0.45V
  • 0.8V
  • 0.7V
  • 1.4V
  • 1.2V
  • 2.6V
  • 0.6V
  • 2V
  • 0.9V
  • -0.9V

阈值电压, Vgs th 最低

  • 0.8V
  • 2.5V
  • -1V
  • 1V
  • 0.7V
  • 1.5V
  • 0.6V

阈值电压, Vgs th 最高

  • 2V
  • 1.7V
  • 100V
  • 0.5V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • 2.35V
  • 3V

芯片封装类型

  • A
  • B

外宽

  • 4.05mm
  • 6.2mm
  • 40.5mm

外部深度

  • 5.26mm
  • 28mm
  • 5.2mm

外部长度/高度

  • 1.2mm
  • 1.75mm
  • 15.43mm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 1.8V

  • 0.035ohm
  • 0.0285ohm
  • 0.03ohm
  • 0.04ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V

  • 0.03ohm
  • 0.028ohm
  • 0.041ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道

  • 0.055ohm
  • 0.04ohm
  • 0.036ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道

  • 0.054ohm
  • 0.053ohm
  • 0.12ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V

  • 0.023ohm
  • 0.019ohm
  • 0.045ohm
  • 0.0185ohm
  • 0.03ohm
  • 0.025ohm
  • 0.033ohm
  • 0.034ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道

  • 0.053ohm
  • 0.045ohm
  • 0.075ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道

  • 0.09ohm
  • 0.072ohm
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)		 数量
ON SEMICONDUCTOR - MMDF1N05ER2G. - 双MOFSET N沟道 8-SOIC ON SEMICONDUCTOR - MMDF1N05ER2G. - 双MOFSET N沟道 8-SOIC
  • 双MOFSET N沟道 8-SOIC
    		•  无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    ON SEMICONDUCTOR - NTJD4401NT1G - 场效应管 MOSFET ON SEMICONDUCTOR - NTJD4401NT1G - 场效应管 MOSFET
  • 场效应管 MOSFET
    		•  无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    ON SEMICONDUCTOR - NTJD4001NT1G - 场效应管 MOSFET ON SEMICONDUCTOR - NTJD4001NT1G - 场效应管 MOSFET
  • 场效应管 MOSFET
    		•  美国 0
    上海 0
    美国 0
    新加坡5    		 1 1 询价,无需注册 订购
    ON SEMICONDUCTOR - NTZD3154NT1G - 场效应管 MOSFET ON SEMICONDUCTOR - NTZD3154NT1G - 场效应管 MOSFET
  • 场效应管 MOSFET
    		•  美国 0
    上海 0
    美国7680
    新加坡350    		 1 1 询价,无需注册 订购
    ON SEMICONDUCTOR - NTJD4152PT1G - 场效应管 MOSFET ON SEMICONDUCTOR - NTJD4152PT1G - 场效应管 MOSFET
  • 场效应管 MOSFET
    		•  无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SILICONIX - SUD50NP04-94-T4-E3 - 场效应管 MOSFET N/P D-PAK VISHAY SILICONIX - SUD50NP04-94-T4-E3 - 场效应管 MOSFET N/P D-PAK
  • 模块配置:NP
  • 晶体管极性:NP
  • 漏极电流, Id 最大值:8A
  • 电压, Vds 最大:40V
  • 开态电阻, Rds(on):0.041ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
  • 功耗:15.6mW
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:D-PAK
  • 针脚数:5
  • 封装类型:DPAK
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • N沟道栅极电荷 Qg:8nC
  • P沟道栅极电荷 Qg:9nC
  • 功率, Pd:15.6W
  • 器件标号:50
  • 漏极连续电流, Id N沟道:8A
  • 漏极连续电流, Id P沟道:8A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds N沟道 1:40V
  • 电压, Vds P沟道 1:40V
  • 电压, Vds 典型值:40V
  • 电流, Id 连续:8A
  • 电流, Idm 脉冲:35A
  • 脉冲电流, Idm N沟道:35A
  • 脉冲电流, Idm P沟道:35A
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.041ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.045ohm
  • 阈值电压, Vgs th 最低:0.6V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:1.7V
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国17    		 1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SILICONIX - SUD50NP04-62-T4-E3 - 场效应管 MOSFET N/P D-PAK VISHAY SILICONIX - SUD50NP04-62-T4-E3 - 场效应管 MOSFET N/P D-PAK
  • 模块配置:NP
  • 晶体管极性:NP
  • 漏极电流, Id 最大值:8A
  • 电压, Vds 最大:40V
  • 开态电阻, Rds(on):0.03ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2V
  • 功耗:23.5mW
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:D-PAK
  • 针脚数:5
  • 封装类型:DPAK
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • N沟道栅极电荷 Qg:9.6nC
  • P沟道栅极电荷 Qg:21nC
  • 功率, Pd:23.5W
  • 器件标号:50
  • 漏极连续电流, Id N沟道:8A
  • 漏极连续电流, Id P沟道:8A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds N沟道 1:40V
  • 电压, Vds P沟道 1:40V
  • 电压, Vds 典型值:40V
  • 电流, Id 连续:8A
  • 电流, Idm 脉冲:35A
  • 脉冲电流, Idm N沟道:35A
  • 脉冲电流, Idm P沟道:35A
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.03ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.034ohm
  • 阈值电压, Vgs th 最高:100V
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国702    		 1 1 询价,无需注册 订购
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2601NZ - 场效应管 MOSFET 双 N SMD TSSOP-8 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2601NZ - 场效应管 MOSFET 双 N SMD TSSOP-8
  • 晶体管极性:NN
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):0.015ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:0.8V
  • 封装类型:TSSOP
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 封装类型:TSSOP
  • 晶体管类型:PowerTrench
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:2601NZ
  • 功率, Pd:1.6W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电容值, Ciss 典型值:1840pF
  • 电流, Id 连续:8.2A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国1216    		 1 1 询价,无需注册 订购
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2512NZ - 场效应管 MOSFET 双 N SMD TSSOP-8 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2512NZ - 场效应管 MOSFET 双 N SMD TSSOP-8
  • 晶体管极性:NN
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):0.028ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:0.8V
  • 封装类型:TSSOP
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 封装类型:TSSOP
  • 晶体管类型:PowerTrench
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:2512NZ
  • 功率, Pd:1.6W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电容值, Ciss 典型值:670pF
  • 电流, Id 连续:6A
    		• 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2507N - 场效应管 MOSFET 双 N SMD TSSOP-8 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2507N - 场效应管 MOSFET 双 N SMD TSSOP-8
  • 晶体管极性:NN
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):0.019ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:0.8V
  • 封装类型:TSSOP
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 封装类型:TSSOP
  • 晶体管类型:PowerTrench
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:2507N
  • 功率, Pd:1.6W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电容值, Ciss 典型值:2152pF
  • 电流, Id 连续:7.5A
  • 电流, Idm 脉冲:30A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国2500    		 1 1 询价,无需注册 订购
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2506P - 场效应管 MOSFET 双 P SMD TSSOP-8 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2506P - 场效应管 MOSFET 双 P SMD TSSOP-8
  • 晶体管极性:PP
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):0.022ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:0.8V
  • 封装类型:TSSOP
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 封装类型:TSSOP
  • 晶体管类型:PowerTrench
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:2506P
  • 功率, Pd:1W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
  • 电压, Vds 典型值:-20V
  • 电容值, Ciss 典型值:1015pF
  • 电流, Id 连续:5.3A
  • 电流, Idm 脉冲:30A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国1258    		 1 1 询价,无需注册 订购
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2504P - 场效应管 MOSFET 双 P SMD TSSOP-8 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2504P - 场效应管 MOSFET 双 P SMD TSSOP-8
  • 晶体管极性:PP
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):0.043ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 封装类型:TSSOP
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 封装类型:TSSOP
  • 晶体管类型:PowerTrench
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:2504P
  • 功率, Pd:1W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
  • 电压, Vds 典型值:-20V
  • 电容值, Ciss 典型值:1030pF
  • 电流, Id 连续:3.8A
  • 电流, Idm 脉冲:30A
    		• 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2503NZ - 场效应管 MOSFET 双 N SMD TSSOP-8 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2503NZ - 场效应管 MOSFET 双 N SMD TSSOP-8
  • 晶体管极性:N
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):0.02ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 封装类型:TSSOP
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 封装类型:TSSOP
  • 晶体管类型:PowerTrench
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:2503NZ
  • 功率, Pd:1W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电容值, Ciss 典型值:1286pF
  • 电流, Id 连续:5.5A
  • 电流, Idm 脉冲:30A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国88    		 1 1 询价,无需注册 订购
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2503N - 场效应管 MOSFET 双 N SMD TSSOP-8 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2503N - 场效应管 MOSFET 双 N SMD TSSOP-8
  • 晶体管极性:N
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):0.021ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:0.8V
  • 封装类型:TSSOP
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 封装类型:TSSOP
  • 晶体管类型:PowerTrench
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:2503N
  • 功率, Pd:1W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电容值, Ciss 典型值:1082pF
  • 电流, Id 连续:5.5A
  • 电流, Idm 脉冲:30A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国1959    		 1 1 询价,无需注册 订购
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2501NZ - 场效应管 MOSFET 双 N SMD TSSOP-8 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2501NZ - 场效应管 MOSFET 双 N SMD TSSOP-8
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:5.5mA
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):0.018ohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 封装类型:TSSOP
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 封装类型:TSSOP
  • 晶体管类型:PowerTrench
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:2501NZ
  • 功率, Pd:1W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电容值, Ciss 典型值:1286pF
  • 电流, Id 连续:5.5A
  • 电流, Idm 脉冲:30A
    		• 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
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