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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDC6020C - 双MOSFET N+P SMD FLMP SSOT-6 |
晶体管极性:NP
开态电阻, Rds(on):27mohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
功耗:1.6W
封装类型:SSOT
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
封装类型:SSOT-6 FLMP
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
功率, Pd:1.6W
漏极连续电流, Id N沟道:5.9A
漏极连续电流, Id P沟道:4.2A
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds:20V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:5.9A
通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.027ohm
通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.055ohm
阈值电压, Vgs th 最高:1.5V
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上海 0
新加坡 0
英国279 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDC6000NZ - 场效应管 MOSFET 双 N SMD FLMP SSOT-6 |
晶体管极性:Dual N
开态电阻, Rds(on):0.02ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:0.9V
功耗:1.6mW
封装类型:SSOT
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
封装类型:SSOT-6 FLMP
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds:20V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:7.3A
阈值电压, Vgs th 最高:1.5V
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6994S - 场效应管 MOSFET 双 N SMD SO-8 |
晶体管极???:N
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):21mohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1.9V
功耗:2W
封装类型:SOIC
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
晶体管数:1
晶体管类型:PowerTrench
表面安装器件:表面安装
漏极连续电流, Id N沟道(1):6.9A
漏极连续电流, Id N沟道(2):8.2A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:6.9A
脉冲电流, Idm N沟道(1):20A
脉冲电流, Idm N沟道(2):30A
通态电阻, Rds on N沟道 1:0.015ohm
通态电阻, Rds on N沟道 2:0.021ohm
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6986AS - 场效应管 MOSFET 双 N SMD SO-8 |
晶体???极性:N
漏极电流, Id 最大值:7.9mA
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):29mohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.9V
功耗:2W
封装类型:SOIC
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
晶体管数:1
晶体管类型:PowerTrench
表面安装器件:表面安装
漏极连续电流, Id N沟道(1):6.5A
漏极连续电流, Id N沟道(2):7.9A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:6.5A
脉冲电流, Idm N沟道(1):20A
脉冲电流, Idm N沟道(2):30A
通态电阻, Rds on N沟道 1:0.020ohm
通态电阻, Rds on N沟道 2:0.029ohm
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6984AS - 场效应管 MOSFET 双 N SMD SO-8 |
晶体???极性:N
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):31mohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
功耗:2W
封装类型:SOIC
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
晶体管数:1
晶体管类型:PowerTrench
表面安装器件:表面安装
漏极连续电流, Id N沟道(1):5.5A
漏极连续电流, Id N沟道(2):8.5A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:5.5A
脉冲电流, Idm N沟道(1):20A
脉冲电流, Idm N沟道(2):30A
通态电阻, Rds on N沟道 1:0.02ohm
通态电阻, Rds on N沟道 2:0.031ohm
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS4885C - 双MOSFET N+P SO-8 |
晶体管极性:N/P
电压, Vds 最大:40V
开态电阻, Rds(on):31mohm
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
功耗:2W
封装类型:SOIC
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
漏极连续电流, Id N沟道:7.5A
漏极连续电流, Id P沟道:6A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:40V
电流, Id 连续:7.5A
脉冲电流, Idm N沟道(1):20A
脉冲电流, Idm P沟道:20A
通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.022ohm
通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.031ohm
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDY3001NZ - 场效应管 MOSFET 双 N SMD SC89 |
模块配置:Dual N Channel
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:200mA
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):5ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
功耗:0.625W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-89
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
封装类型:SC-89
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
SMD标号:D
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:0.2A
电流, Idm 脉冲:1A
阈值电压, Vgs th 最高:1.5V
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上海 0
新加坡 0
英国336 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDY2001PZ - 场效应管 MOSFET 双 P SMD SC89 |
晶体管极性:P
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):8ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:-1V
功耗:0.625W
封装类型:SC-89
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
封装类型:SC-89
晶体管类型:PowerTrench
表面安装器件:表面安装
SMD标号:B
电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
电压, Vds 典型值:-20V
电流, Id 连续:0.15A
电流, Idm 脉冲:1A
阈值电压, Vgs th 最高:-1.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDM3300NZ - 场效应管 MOSFET N型 MLP SMD |
晶体管极性:N
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.023ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:0.9V
功耗:2.1W
封装类型:Power 33
针脚数:8
封装类型:Power 33
晶体管类型:PowerTrench
表面安装器件:表面安装
SMD标号:3300N
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:10A
电流, Idm 脉冲:40A
阈值电压, Vgs th 最高:1.5V
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDMC6890NZ - 场效应管 MOSFET N型 MLP 双管 SMD |
晶体管极性:N
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):68mohm
阈值电压, Vgs th 典型值:0.9V
功耗:1.92W
封装类型:Power 33
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
封装类型:Power 33
晶体管类型:PowerTrench
表面安装器件:表面安装
SMD标号:6890N
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:4A
电流, Idm 脉冲:10A
阈值电压, Vgs th 最高:2V
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDMA1025P - 场效应管 MOSFET 双 P SMD MLP |
模块配置:双
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-3.1A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.155ohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:-0.9V
功耗:1.4W
封装类型:MicroFET
针脚数:6
封装类型:MicroFET
晶体管类型:PowerTrench
表面安装器件:表面安装
SMD标号:025
电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
电压, Vds 典型值:-20V
电流, Id 连续:3.1A
电流, Idm 脉冲:6A
阈值电压, Vgs th 最高:-1.5V
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无库存 |
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1 |
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DIODES INC. - ZXMC4559DN8TA - 场效应管 MOSFET N型+P型 60V SO8 |
模块配置:NP
晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:4.7A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.105ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
功耗:2.1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
针脚配置:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
功率, Pd:1.25W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:3.9A
电流, Idm 脉冲:18.3A
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上海 0
新加坡30
英国3919 |
1 |
1 |
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DIODES INC. - ZXMC3A17DN8TA - 场效应管 MOSFET N型+P型 30V SO8 |
模块配置:NP
晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:5.4A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.07ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
功耗:2.1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
针脚配置:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
功率, Pd:1.25W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:4.4A
电流, Idm 脉冲:20A
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上海 0
新加坡50
英国2687 |
1 |
1 |
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DIODES INC. - ZXMN3A06DN8TA - 场效应管 MOSFET 双N型 30V SO8 |
模块配置:Dual N Channel
晶体管极性:Dual N
漏极电流, Id 最大值:6.2A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.035ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
功耗:2.1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
针脚配置:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
功率, Pd:1.25W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:6.2A
电流, Idm 脉冲:30A
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上海 0
新加坡 0
英国149 |
1 |
1 |
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DIODES INC. - ZXMN6A25DN8TA - 场效应管 MOSFET 双N型 60VSO8 |
晶体管极性:Dual N
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.05ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
封装类型:SOIC
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
晶体管数:2
晶体管类型:Enhancement
表面安装器件:表面安装
针脚配置:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
功率, Pd:1.25W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:5A
电流, Idm 脉冲:24A
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无库存 |
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