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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
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SEMIKRON - SEMIX 503GD126HDC - 晶体管 IGBT模块 6晶体管 1200V |
晶体管极性:N
集电极直流电流:490A
饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMiX 33c
外宽:162mm
外部深度:150mm
封装类型:SEMiX 33c
晶体管数:6
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMiX 33c
上升时间:55ns
安装孔中心距:50mm
安装孔直径:5.5mm
最大连续电流, Ic:480A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:480A
集电极电流, Ic 平均值:480A
集电极连续电流, Ic 最大值:330A
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无库存 |
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SEMIKRON - SEMIX 353GD126HDC - 晶体管 IGBT模块 6晶体管 1200V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:2.1V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMiX 33c
外宽:162mm
外部深度:150mm
封装类型:SEMiX 33c
晶体管数:6
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMiX 33c
上升时间:55ns
安装孔中心距:50mm
安装孔直径:5.5mm
最大连续电流, Ic:360A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:360A
集电极电流, Ic 平均值:360A
集电极连续电流, Ic 最大值:260A
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无库存 |
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SEMIKRON - SEMIX 251GD126HDS - 晶体管 IGBT模块 6晶体管 1200V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMiX 13s
外宽:137.8mm
外部深度:61.7mm
封装类型:SEMiX 13s
晶体管数:6
晶体管类型:IGBT
表面安装器件:螺丝安装
SMD标号:SEMiX13s
上升时间:40ns
安装孔中心距:50mm
安装孔直径:5.4mm
最大连续电流, Ic:240A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:240A
集电极电流, Ic 平均值:240A
集电极连续电流, Ic 最大值:170A
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无库存 |
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SEMIKRON - SEMIX 503GB126HD - 晶体管 IGBT模块 双晶体管 1200V |
晶体管极性:N
集电极直流电流:490A
饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMiX 3
外宽:149.5mm
外部深度:61.6mm
封装类型:SEMiX 3
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMiX3
上升时间:55ns
安装孔中心距:137mm
安装孔直径:5.5mm
最大连续电流, Ic:480A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:480A
集电极电流, Ic 平均值:480A
集电极连续电流, Ic 最大值:330A
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停产 |
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SEMIKRON - SEMIX 101GD066HDS - 晶体管 IGBT模块 6晶体管 600V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:1.9V
电压, Vceo:600V
封装类型:SEMiX 13s
外宽:137.8mm
外部深度:61.7mm
封装类型:SEMiX 13s
晶体管数:6
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMiX13s
上升时间:36ns
安装孔中心距:50mm
安装孔直径:5.4mm
最大连续电流, Ic:120A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:600V
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:120A
集电极电流, Ic 平均值:120A
集电极连续电流, Ic 最大值:90A
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无库存 |
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SEMIKRON - SK15DGDL126ET - 电力控制模块 3相 1200V |
饱和电压, Vce sat 最大:2.1V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMITOP 3
封装类型:SEMITOP 3
晶体管类型:3-Phase Bridge Rectifier + Brake Chopper + 3 Phase Bridge Inverter
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:25ns
最大连续电流, Ic:22A
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:44A
饱和电压 Vce sat 典型值:1.7V
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无库存 |
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SEMIKRON - SK15GD126 - 晶体管 IGBT模块 6晶体管 1200V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:2.1V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMITOP 2
外宽:40.5mm
外部深度:28mm
封装类型:SEMITOP 2
晶体管数:6
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMITOP2
上升时间:20ns
功率, Pd:1600W
安装孔中心距:38mm
安装孔直径:2mm
最大连续电流, Ic:22A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:44A
集电极电流, Ic 平均值:22A
集电极连续电流, Ic 最大值:15A
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无库存 |
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SEMIKRON - SK10GD126ET - 晶体管 IGBT模块 6晶体管 1200V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat ??大:2.1V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMITOP 3
外宽:55mm
外部深度:31mm
封装类型:SEMITOP 3
晶体管数:6
晶体管类型:IGBT
表面安装器件:螺丝安装
SMD标号:SEMITOP3
上升时间:30ns
功率, Pd:2000W
安装孔中心距:52.5mm
安装孔直径:2mm
最大连续电流, Ic:15A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:30A
集电极电流, Ic 平均值:15A
集电极连续电流, Ic 最大值:11A
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无库存 |
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SEMIKRON - SK40GB123 - 晶体管 IGBT模块 双晶体管 1200V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat ??大:3V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMITOP 2
外宽:40.5mm
外部深度:28mm
封装类型:SEMITOP 2
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT
表面安装器件:螺丝安装
SMD标号:SEMITOP2
上升时间:45ns
功率, Pd:850W
安装孔中心距:38mm
安装孔直径:2mm
最大连续电流, Ic:40A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:80A
集电极电流, Ic 平均值:40A
集电极连续电流, Ic 最大值:27A
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无库存 |
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SEMIKRON - SK60GM123 - 晶体管 IGBT模块 反并联二极管对 1200V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:3V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMITOP 2
外宽:40.5mm
外部深度:28mm
封装类型:SEMITOP 2
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMITOP2
上升时间:45ns
功率, Pd:600W
安装孔中心距:38mm
安装孔直径:2mm
最大连续电流, Ic:60A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:60A
集电极电流, Ic 平均值:60A
集电极连续电流, Ic 最大值:40A
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无库存 |
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SEMIKRON - SK20DGDL065ET - 电力控制模块 3相 600V |
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
电压, Vceo:600V
封装类型:SEMITOP 3
封装类型:SEMITOP 3
晶体管类型:3-Ph Rectifier + Brake Chopper + Invertor
上升时间:28ns
最大连续电流, Ic:24A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:48A
饱和电压 Vce sat 典型值:2.2V
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无库存 |
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SEMIKRON - SK10DGDL065ET - 电力控制模块 3相 600V |
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
电压, Vceo:600V
封装类型:SEMITOP 3
封装类型:SEMITOP 3
晶体管类型:3-Phase Bridge Rectifier + Brake Chopper + 3 Phase Bridge Inverter
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:30ns
最大连续电流, Ic:17A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:34A
饱和电压 Vce sat 典型值:2.3V
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无库存 |
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SEMIKRON - SK8BGD065E - 电力控制模块 单相 600V |
饱和电压, Vce sat 最大:2.2V
电压, Vceo:600V
封装类型:SEMITOP 2
封装类型:SEMITOP 2
晶体管类型:1 Phase Bridge Rectifier + 3 Phase Bridge Invertor
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:25ns
最大连续电流, Ic:12A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:24A
饱和电压 Vce sat 典型值:2.2V
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无库存 |
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SEMIKRON - SK35GD065ET - 晶体管 IGBT模块 6晶体管 600V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最??:2.5V
电压, Vceo:600V
封装类型:SEMITOP 3
外宽:55mm
外部深度:31mm
封装类型:SEMITOP 3
晶体管数:6
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMITOP3
上升时间:35ns
功率, Pd:1000W
安装孔中心距:52.5mm
安装孔直径:2mm
最大连续电流, Ic:45A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:600V
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:36A
集电极电流, Ic 平均值:45A
集电极连续电流, Ic 最大值:33A
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无库存 |
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SEMIKRON - SK20GD065 - 晶体管 IGBT模块 6晶体管 600V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:2.2V
电压, Vceo:600V
封装类型:SEMITOP 2
外宽:40.5mm
外部深度:28mm
封装类型:SEMITOP 2
晶体管数:6
晶体管类型:IGBT
表面安装器件:螺丝安装
SMD标号:SEMITOP2
上升时间:30ns
功率, Pd:1700W
安装孔中心距:38mm
安装孔直径:2mm
最大连续电流, Ic:24A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:600V
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:22A
集电极电流, Ic 平均值:24A
集电极连续电流, Ic 最大值:17A
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